- 三款新器件提升工业设备效率与功率密度 -
日本川崎--(美国商业资讯)-- Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (“Toshiba”)推出三款650V碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)，搭载最新[1] 第三代SiC MOSFET芯片，并采用表面贴装TOLL封装。这些新器件适用于工业设备，如开关式电源和用于光伏发电机的功率调节器。“TW027U65C”、“TW048U65C”和“TW083U65C”这三款MOSFET即日起开始批量出货。
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新产品是Toshiba第三代SiC MOSFET中采用通用表面贴装TOLL封装的型号，与TO-247和TO-247-4L(X)等通孔封装相比，器件体积减少80%以上，设备功率密度也得以改善。
TOLL封装还具有比通孔封装更低的寄生阻抗[2]，有助于降低开关损耗。作为四端子[3]封装，可将开尔文连接用作栅极驱动的信号源端子。这可以减少封装内的源极引线电感的影响，实现高速开关性能；以TW048U65C为例，其开通损耗和关断损耗分别比现有Toshiba产品[5]降低约55%和25%[4]，有助于降低设备功率损耗。
Toshiba将继续扩展产品阵容，为提升设备效率和增加功率容量做出贡献。
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第三代SiC MOSFET封装阵容 |
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类型 |
封装 |
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通孔型 |
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表面贴装型 |
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注：
[1] 截至2025年8月。
[2] 电阻、电感等。
[3] 具有靠近FET芯片连接的信号源端子的产品。
[4] 截至2025年8月，Toshiba测量值。详情请参见Toshiba网站发布版本中的图1。
[5] 采用无开尔文连接TO-247封装的具有同等电压和导通电阻的650V第三代SiC MOSFET。
应用领域
- 服务器、数据中心、通信设备等的开关式电源
- 电动汽车充电站
- 光伏逆变器
- 不间断电源
产品特点
- 表面贴装TOLL封装：支持设备小型化与自动化组装。开关损耗低。
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Toshiba第三代SiC MOSFET：
- 优化漂移电阻与沟道电阻比，实现漏源导通电阻良好的温度依赖性。
- 低漏源导通电阻×栅漏电荷积
- 低二极管正向电压：VDSF=-1.35V（典型值）(VGS=-5V)
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主要规格 |
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（除非另有说明，否则Ta=25℃） |
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部件编号 |
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封装 |
名称 |
TOLL |
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尺寸(mm) |
典型值 |
9.9×11.68×2.3 |
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绝对 |
漏源电压 VDSS (V) |
650 |
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栅源电压 VGSS (V) |
-10至25 |
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漏极电流（直流）ID (A) |
Tc=25°C |
57 |
39 |
28 |
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电气 |
漏源导通电阻 RDS(ON) (mΩ) |
VGS=18V |
典型值 |
27 |
48 |
83 |
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栅极阈值电压 Vth (V) |
VDS=10V |
3.0至5.0 |
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总栅极电荷 Qg (nC) |
VGS=18V |
典型值 |
65 |
41 |
28 |
|
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栅漏电荷 Qgd (nC) |
VGS=18V |
典型值 |
10 |
6.2 |
3.9 |
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输入电容 Ciss (pF) |
VDS=400V |
典型值 |
2288 |
1362 |
873 |
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二极管正向电压 VDSF (V) |
VGS=-5V |
典型值 |
-1.35 |
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样品检查及供应情况 |
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TW027U65C
TW048U65C
TW083U65C
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Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation是先进半导体和存储解决方案的领先供应商，凭借半个多世纪的经验和创新，为客户和业务合作伙伴提供卓越的分立半导体、系统LSI和HDD产品。
该公司在全球拥有19,400名员工，以实现产品价值最大化，与客户密切合作共创价值和开拓新市场为宗旨。该公司以建设并促进更美好的未来，让全世界的所有人受益为目标。
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Toshiba：TOLL封装650V第三代SiC MOSFET。
