ECLIPSE项目旨在建立先进氮化镓外延片材料的生产和供应机制；标志着Transphorm在技术开发方面再次获得政府合同

加州戈利塔--(美国商业资讯)--Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN)是一家全球领先的氮化镓(GaN)功率半导体公司，在核心技术和产量上均领先业界。公司今天宣布，已获得一份来自National Security Technology Accelerator (NSTXL)的合同，价值高达1500万美元。该合同的内容与ECLIPSE项目有关，根据该合同，NSTXL将委托Transphorm生产先进的氮化镓外延片。公司能够有机会为该项目做出贡献，彰显出Transphorm在先进氮化镓材料领域的知识产权、知识和专长，以及其MOCVD制造基础设施的优势。

Transphorm在氮化镓外延片的设计、开发以及各种突破性高压氮化镓平台的生产方面拥有超过十年的经验。作为一家半导体先驱企业，上述专长让Transphorm进入了功率和射频氮化镓业务的多个垂直领域。

Transphorm首席技术官兼联合创始人Umesh Mishra表示：“众所周知，先进氮化镓材料应用广泛，拥有显著的价值和发展潜力。我们已经开发了多个高功率密度平台，实现了创纪录的性能和效率优势，我们的产品非常适合功率转换和射频应用。这种类型的创新正是Transphorm的优势所在，因为我们能够生产适合各种应用的优质核心外延材料，并拥有先进的设备和制造能力。我们一直致力于发展和改进氮化镓技术的各个方面，包括材料、设计和工艺等等。我们期待ECLIPSE项目能够顺利开展，以增强我们提供先进氮化镓外延片的能力。”

该合同的投标流程由National Security Technology Accelerator (NSTXL)以“其他交易协议”(OTA)的方式进行管理。

关于 Transphorm

Transphorm, Inc.是氮化镓革命的全球领导者，致力于设计和制造用于高压功率转换应用的高性能、高可靠性氮化镓半导体。Transphorm拥有庞大的功率氮化镓知识产权组合，持有或取得授权的专利超过1000项，生产了业界首款符合JEDEC和AEC-Q101标准的高压氮化镓半导体器件。得益于垂直整合的器件业务模式，公司能够在包括设计、制造、器件和应用支持在内的每个开发阶段进行创新。Transphorm的创新使功率电子产品超越了硅的限制，实现了99%以上的效率，将功率密度提高50%，并使系统成本降低20%。Transphorm总部位于加州戈利塔，并在戈利塔和日本会津设有制造工厂。如需了解更多信息，请访问www.transphormusa.com。欢迎在Twitter @transphormusa以及微信@Transphorm_GaN关注我们。

免责声明：本公告之原文版本乃官方授权版本。译文仅供方便了解之用，烦请参照原文，原文版本乃唯一具法律效力之版本。

在 businesswire.com 上查看源版本新闻稿: https://www.businesswire.com/news/home/20230523005462/zh-CN/

CONTACT:

媒体联系人：
Heather Ailara
+1.973.567.6040
heather.ailara@transphormusa.com

投资者联系人：
David Hanover或Jack Perkins
KCSA Strategic Communications
transphorm@kcsa.com