东京--(美国商业资讯)--东芝公司(TOKYO:6502)今日宣布研发全球首款^*1运用硅通孔(TSV)技术的16颗粒（最大）堆叠式NAND闪存。将于8月11日至13日在美国圣克拉拉举行的2015年闪存峰会(Flash Memory Summit 2015)上展示其原型。

这份智能新闻稿包含多媒体内容。完整新闻稿可在以下网址查阅：http://www.businesswire.com/news/home/20150805006880/en/

堆叠式NAND闪存的先前技术是在封装内运用引线接合法连接在一起。而TSV技术利用垂直电极和贯穿硅芯片模的通孔实现连接。该技术支持数据高速输入和输出，并降低功耗。

东芝TSV技术实现超过1Gbps的I/O数据速率，高于具有低电源电压的任何其它NAND闪存。核心电路1.8V，I/O电路1.2V，写入操作、读取操作和I/O数据传输的功耗降低约50%^*2。

这款全新的NAND闪存为包括高端企业级SSD在内的闪存应用提供理想的低延迟、高带宽和高IOPS/Watt解决方案。

这项应用技术部分由日本新能源和工业技术开发组织(NEDO)研发。

注：
*1：截至2015年8月6日。东芝调查。
*2：与东芝当前产品相比。

关于东芝

东芝公司是一家《财富》全球500强公司，致力于将其在先进电子和电气产品及系统方面的一流能力运用于五个战略业务领域：能源与基础设施、社区解决方案、医疗保健系统与服务、电子设备与组件，以及生活方式产品与服务。在东芝集团的基本承诺“为了人类和地球的明天”的指引下，东芝以“通过创造力和创新实现增长”为目标来推动全球业务，并致力于让全球各地的人们生活在一个安全、有保障和舒适的社会中。

东芝于1875年在东京成立，如今已成为一家有着590多家附属公司的环球企业，全球拥有超过200,000名员工，年销售额逾6.5万亿日元（630亿美元）。
更多信息请访问东芝网站：www.toshiba.co.jp/index.htm

原文版本可在businesswire.com上查阅：http://www.businesswire.com/news/home/20150805006880/en/

免责声明：本公告之原文版本乃官方授权版本。译文仅供方便了解之用，烦请参照原文，原文版本乃唯一具法律效力之版本。

联系方式：

东芝公司
半导体与存储产品公司
Megumi Genchi / Kota Yamaji, +81-3-3457-3576
Communication IR Promotion Group
业务规划部
semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

搭载TSV技术的NAND闪存（图示：美国商业资讯）

搭载TSV技术的16颗粒堆叠式NAND闪存（照片：美国商业资讯）