新款 GS66516T 650V 增强型功率开关采用上层冷却、低电感 GaNPX™ 封装和超低 FOM Island Technology™，是高频率和高效功率转换的完美选择

安大略省、渥太华--(美国商业资讯)--氮化镓功率开关半导体领先开发商 GaN Systems Inc. 携其知名的增强型氮化镓（在硅上）高功率晶体管系列新款产品亮相上海 PCIM Asia （展位：4D18）。新款 GaN 高功率增强型器件 (GS65516T) 基于三种核心专有技术，拥有市场上最高电流能力（达 60A），并进一步扩大了 GaN Systems 全球领先的功率开关半导体的范围。

GS65516T 650V 增强型功率开关融入了今年 3 月份发布的 GaN Systems 新型专有上层冷却技术，使该器件能够通过大众熟知的传统散热器和风扇进行冷却。依托公司的超低 FOM Island Technology® 片芯设计，采用低电感且极具热效率的 GaNPX™ 封装，尺寸为 9.0mm x 7.6mm x 0.45mm。GS65516T 650V E-HEMT 还具有反向电流能力、积分源传感和零反向恢复损耗等特征。双栅垫件有助于设计工程师实现最优板布局。GS65516T 适用于高频率、高频率功率转换应用，如内置充电器、400V DC-DC 转换、逆变器、不间断电源 (UPS)、VFD 电动机驱动、AC-DC 电源（PFC 和初级）及 VHF 小型电源适配器。

“GaN 推出的技术是真真实实，且正在发生的一场革命。”GaN Systems 总裁 Girvan Patterson 说道。“我们的器件拥有工业规模的功率，自去年在市场上销售以来，赢得了全球数百家顶级公司的青睐，它们利用我们的技术，确保自己成为首个向市场上推出新产品的公司，将 GaN 提供的好处带给太阳能逆变器、超薄电视等产品。市场上的主要参与者清楚地明白，氮化镓器件技术是一场真正的革新。GaN Systems 的核心 IP 使得我们的器件更易于设计人员使用。现在，我们正在见证能够增强 GaN 实力的真正产品的上市过程。例如，在我们的 PCIM Asia 展位上，我们展出了 NextHome 研发的全新 3kW、800/380V DC/DC 转换器。NextHome 是一个制造商联盟，旨在研发能够提高能源效率的全新电力系统，以供国内使用。我们还展出一款来自韩国 LS Industrial Systems 的 5kW 三相逆变器电源模块，该模块通过并联采用我们的两个 GS66508P 器件实现两级拓扑。”

在过去 18 个月中，GaN Systems 指定了全球经销商网络，包括位于日本、台湾和中国的 Value Integrated Technology (Vitec)、Mouser Electronics （全球）和 Websolus（韩国和中国）。

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