--符合JEDEC UFS 2.0版本标准的嵌入式存储器将高达64GB的NAND和控制器融合于单一封装内--
东京--(美国商业资讯)--东芝公司(Toshiba Corporation, TOKYO:6502)旗下的半导体&存储产品公司今天宣布，即日起启动符合JEDEC UFS[1] 2.0版本标准的32GB和64GB嵌入式NAND闪存模块的样品出货，东芝此举为业内首例[2]。这两种模块还集成了UFS 2.0版本的可选功能——5.8Gbps高速MIPI® M-PHY®[3] HS-G3 I/F，并实现了超高性能，包括650MB/s的读取速度和180MB/s的写入速度。
传输速度的加快可缩短推出各类应用，拍摄数字静止图像，以及在智能手机或平板电脑等移动产品上播放及下载大数据电影和音乐文件所需的时间。
随着主机芯片数据处理速度的提高，以及智能手机和平板电脑等各种数码消费产品无线连接中宽带的增大，对于支持高分辨率视频的大密度、高性能芯片的需求也将继续增长。
实践证明，东芝是这一重要领域的创新者。通过成为业内首家提供高性能UFS模块样品的公司，东芝正进一步巩固其领导地位。
东芝将安排量产，并将把其他密度的产品加入到该阵容中以响应市场需求。
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新产品概览 |
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产品型号 |
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密度 |
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封装 |
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THGLF2G8C4KBADR |
32GB |
153球细间距球栅阵列(FBGA) 11.5x13x1.0mm |
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THGLF2G9C8KBADG |
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64GB |
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153球细间距球栅阵列(FBGA) 11.5x13x1.2mm |
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主要特性
- 符合JEDEC UFS 2.0版本的接口可处理基本功能，包括写入块管理、误差校正和驱动软件。该接口简化了系统开发，使制造商最大限度地减少开发成本，加快向市场推出新产品和升级产品的速度。
- 该产品具有超高的读取/写入性能，且通过支持UFS 2.0版本的可选功能——双通道MIPI M-PHY HS-G3 I/F，其最高传输速率高达11.6Gbps。
- 两款新产品均采用小型FBGA封装，且具有符合JEDEC UFS 2.0版本的信号布置。
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主要规格
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接口 |
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JEDEC UFS 2.0版本标准 |
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电源电压 |
2.7V至3.6V（存储磁心）
1.70V 至1.95V（存储器接口等） 1.10V to 1.30V（控制器核心，UFS I/F信号) |
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通道数量 |
下行2通道/上行2通道 |
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I/F速度 |
5.8Gbps/通道 |
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温度范围 |
-25℃至+85℃ |
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封装 |
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153球细间距球栅阵列(FBGA) 11.5x13x1.0mm (32GB) / 11.5x13x1.2mm (64GB) |
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注：
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[1] |
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通用闪存是根据JEDEC UFS 标准规范创建的一种嵌入式内存产品类别。 |
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[2] |
嵌入式NAND闪存模块：2014年4月25日，东芝调查。 |
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[3] |
MIPI®和M-PHY®是MIPI Alliance的商标、服务商标、注册商标和/或注册服务商标。 |
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东芝：符合UFS 2.0版本的嵌入式NAND闪存模块（照片：美国商业资讯）
