高功耗封装阵容扩大
东京--(美国商业资讯)--东芝公司（Toshiba Corporation, TOKYO:6502）今天宣布，该公司已经为智能手机和平板电脑等移动设备的高电流充电电路的开关推出了超紧凑型MOSFET，包括两种电池。
随着更多功能添加至智能手机和手机、平板电脑和笔记本电脑等移动设备以及对它们的电池提出更多要求，公司不断显著增加充电电流来缩短充电时间，以提高电荷密度和改善用户体验。新的超紧凑型“SSM6J781G”和“SSM6J771G”是东芝高功耗封装的高电流MOSFET阵容的最新成员。即日起开始批量生产和出货。
应用
智能手机和手机、平板电脑和笔记本电脑等移动设备的高电流充电开关。
推荐的电路
1. 高端开关（P沟道）
2. 结合升压控制LSI的高端开关（N沟道）
3. 低端电池保护的控制开关（N沟道）
主要特点
1. 高电流
2. 低导通电阻
3. 低电容
4. 小型封装（1.5 x 1.0 mm；WCSP6C）
5. 高功耗
主要规格
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N沟道MOSFET |
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零件型号 |
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VDSS |
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VGSS |
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ID(DC) |
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RDS(ON) typ. (mΩ) |
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PD |
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|
VGS = 2.5V |
|
VGS = -4.5V |
|
|||||
|
SSM6K781G |
|
12 |
|
±8 |
|
7 |
|
17.9 |
|
14.4 |
|
1.2 |
|
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||||||||||||
|
P沟道MOSFET |
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零件型号 |
|
VDSS |
|
VGSS |
|
ID(DC) |
|
RDS(ON) typ. (mΩ) |
|
PD |
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|
|
|
|
|
VGS = -4.5V |
|
VGS = -8.55V |
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|||||
|
SSM6J771G |
|
-20 |
|
±12 |
|
-5 |
|
26 |
|
23 |
|
1.2 |
|
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*垂询有关该产品的更多信息，请访问该链接：
http://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/product/new_products/transistor/1324116_37649.html
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东芝为移动设备的高电流充电电路推出的超紧凑型MOSFET（照片：美国商业资讯）
