英特尔公司和美光科技有限公司（Micron Technology Inc.，纽约证券交易所：MU）今天宣布，双方联合开发的34nm、32Gb多层单元（MLC）NAND闪存设备投入量产。该产品由双方成立的NAND闪存合资企业IM Flash Technologies公司（IMFT）开发、生产，其工艺技术是目前市场上最先进的，实现了业界唯一的单片32Gb NAND芯片，而且芯片的大小适合采用标准的48引脚薄小外形封装（TSOP）。双方将34nm NAND闪存投入量产的时间比计划有所提前，预计其Lehi工厂一半以上的产能今年年底前将过渡到34nm工艺。
美光公司内存事业部副总裁Brian Shirley说，“在NAND工艺水平方面我们的进步十分迅速，现已占据34nm生产的领先地位。有了这块小巧的34nm、32Gb芯片，客户能够很方便地扩大一系列消费和计算产品的NAND存储容量。”
英特尔公司NAND解决方案事业部副总裁兼总经理Randy Wilhelm说，“IMFT的业绩再次超出了我们的预期。凭借在NAND制造方面如此明确的领先地位，我们能够为客户提供价值高、性能优、功耗低的NAND解决方案。”
这种34nm、32 Gb芯片是在300mm晶圆上生产的。芯片面积仅有172mm²，比拇指甲还小；该芯片将以高性价比，在数码相机、个人音乐播放器、数码摄像机等小尺寸应用产品中实现高密度的固态存储。此外，这款芯片还可用于实现性价比更优的固态驱动器，从而大幅提高这类驱动器现有的存储容量。
两家公司还计划于2009年初开始采用34nm工艺技术生产较低密度的多层单元（MLC）和单层单元（SLC）产品样件。
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英特尔公司（纳斯达克股票代码：INTC）是芯片创新领域的全球领先厂商，致力于开发技术、产品和计划，不断改进人们的工作和生活方式。有关英特尔的详细情况请查阅：www.intel.com/pressroom和 http://blogs.intel.com。如需了解英特尔NAND闪存解决方案的详细情况，请查阅：www.intel.com/go/ssd。
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美光科技有限公司（Micron Technology, Inc.）是高级半导体解决方案的全球领先供应商之一。通过全球化的运营，美光公司制造并向市场推出DRAM、NAND闪存、CMOS图像传感器、其它半导体组件以及存储器模块，用于前沿计算、消费品、网络和移动便携产品。美光公司普通股代码为MU，在纽约证券交易所交易（NYSE）。如需了解美光科技有限公司的详细情况，请访问：www.micron.com。
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本新闻稿包含有关采用34nm工艺技术生产34nm 32Gb NAND设备以及采用该技术生产较低密度多层单元和单层单元产品样品的前瞻性陈述。实际情况或结果可能与这些前瞻性陈述所含内容产生显著差异。请参考美光公司在并表基础上不时向美国证券交易委员会呈报的文件，特别是公司最新的10-K表和10-Q表。这些文件含有并明确了可能导致公司在并表基础上的实际业绩与我们的前瞻性陈述中所含内容产生重大差异的重要因素（参见“已知因素”<Certain Factors>章节）。尽管我们认为前瞻性陈述中反映的期望是合理的，但我们不能对未来业绩、活动水平、表现或成绩做出保证。
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