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美国商业资讯 2008 年 5 月 29 日爱达荷州博伊西及加州圣克拉拉消息——
今天，英特尔公司与美光科技有限公司（纽约证券交易所：MU）共同推出了业内首个亚 40 纳米 (nm) NAND 储存设备，从而揭开了 34 纳米 32Gb 多级细胞芯片的神秘面纱。这一制程技术由英特尔与美光公司共同开发，由两家公司的 NAND 闪存合资企业 IM Flash Technologies (IMFT) 制造生产。它是市场上最小的制程几何结构。32Gb 的 NAND 芯片是该密度下唯一适合标准 48-线纤细外形封装 (TSOP) 的单片装置，为提高现有应用产品的密度提供了一个低成本高效率的方法。客户样品将于 6 月份开始发货，预计在今年下半年进行量产。
美光公司储存器事业群的副总裁 Brian Shirley 说：“新的 32 Gb 设备的字节存储密度是业内最先进的。能与英特尔的合作伙伴一起成为生产工艺技术方面的领头人，我们感到非常骄傲。”
英特尔 NAND 产品事业群的营销总监 Pete Hazen 说：“34 纳米制程技术的推出，标志着 IMFT 的快速进步，同时使我们走在了 NAND 制程技术的前沿。这一进步将拓展价值主张，并加速我们在计算平台上采用固态硬盘的步伐。”
34 纳米 32Gb 的芯片将在 300 毫米的晶片上制造，每块晶片大约生产 1.6 太字节的 NAND。34 纳米 32Gb 芯片的尺寸仅为172毫米(2)，比拇指甲还小，它允许在小型化应用产品中使用高密度的固态存储，经济实惠。
— 单个 32Gb 芯片可以储存 2000 多张高分辨率的数码照片，或者在个人音乐播放器中存储多达 1000 首歌。
— 两个 8 模堆叠封装可以实现 64 千兆字节 (GB) 的存储量，足以支持数码摄像机录制 8 至 40 小时的高清录像。
该 34 纳米 32 Gb 芯片针对固态硬盘设计。本产品可实现更经济实惠的 SSD，立刻将这些设备的现有存储容量扩大一倍，使当前的标准小型
英特尔和美光公司还计划以 34 纳米架构为基础，于本年底推出包括单级细胞产品在内的低密度多级细胞产品。
关于英特尔
英特尔（纳斯达克股票代码：INTC）是芯片创新领域的领先厂商，致力于开发技术、产品和计划，从而不断改进人们的工作和生活方式。如欲了解有关英特尔的更多信息，请访问www.intel.com/pressroom 和 http://blogs.intel.com。如欲了解有关英特尔 NAND 闪存产品的进一步详情，请访问www.intel.com/design/flash/nand。
关于美光公司
美光科技有限公司 (Micron Technology, Inc.) 是高级半导体解决方案的全球领先供应商之一。通过全球化的运营，美光公司制造并向市场推出 DRAM、NAND 闪存、CMOS 图像传感器、其它半导体组件以及存储器模块，用于前沿计算、消费品、网络和移动便携产品。美光公司普通股代码为 MU，在纽约证券交易所交易 (NYSE)。如需了解美光科技有限公司的详细情况，请访问：www.micron.com
©2008 美光科技有限公司和英特尔公司。版权所有。上述信息如有变更，恕不另行通知。
Micron（美光）、美光环绕标志是美光科技有限公司 (Micron Technology, Inc.) 的商标。英特尔是英特尔公司在美国和其它国家的商标。所有其它商标由其相应的所有人所有。
本新闻稿包含有关 34 纳米 32 Gb NAND 生产的前瞻性声明。实际情况或结果可能与前瞻性声明中的描述有较大出入。请以本公司不时提交给证券交易委员会的文件和材料，尤其是本公司提交的最新 10-K 和 10-Q 表为准。这些文件包含并确认了可能导致整体实际结果与前瞻性声明中所述情况产生较大差异的某些重要性因素（请参阅“某些因素”部分）。虽然我们相信前瞻性声明中反映的预期是合理的，但是我们不对未来结果、活动水平、业绩或者成绩承担保证责任。
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美光科技有限公司
Kirstin Bordner, 208-368-5487
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英特尔公司
Connie Brown, 503-791-2367
或
英特尔公司专线
Deborah Paquin, 916-984-1921
